1996 Sep 03 3
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed double diode 1PS226
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj
=
25
°C; unless otherwise specified.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
Per diode
VF
forward voltage
see
Fig.3
IF
=
1
mA
610
?
mV
IF
=
10
mA
740
?
mV
IF
=
50
mA
?
1.0
V
IF
=
100
mA
?
1.2
V
IR
reverse current
see
Fig.4
VR
=
25
V
?
30
nA
VR
=
80
V
?
0.5
μA
VR
=
25
V; Tj
=
150
°C
?
30
μA
VR
=
80
V; Tj
=
150
°C
?
100
μA
Cd
diode capacitance
f
=
1
MHz; VR
=
0; see
Fig.5
?
1.5
pF
trr
reverse recovery time
when switched from IF
=
10
mA to
IR
=
10
mA; RL
=
100
Ω; measured
at IR
=
1
mA; see
Fig.6
?
4
ns
Vfr
forward recovery voltage
when switched from IF
=
10
mA;
tr
=
20
ns; see
Fig.7
?
1.75
V
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth
j-tp
thermal resistance from junction to tie-point
250
K/W
Rth
j-a
thermal resistance from
junction to ambient
note
1
500
K/W
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